記憶體缺貨恐延續至 2030 年後：HBM 搶產能、基底晶粒外包，台積電迎來第二波 AI 紅利

美光 2026 會計年度第四季毛利率 87%，執行長說 2027、2028 年記憶體會比 2026 年更缺。有人推算，記憶體缺貨會延續到 2030 年後。我認為這個結論是對的，但推論過程有三個地方需要修正。

美光在 2026 年 9 月 30 日公布截至 9 月 3 日的 2026 會計年度第四季財報，營收及每股稅後純益（EPS）都超越預期，毛利率創下新高 87%，EPS 從去年同期 3.03 美元攀升至 33.42 美元，年增逾 10 倍。

美光執行長梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）也說，自駕車、人形機器人等實體 AI 將成為新的成長動能，並強調 2027、2028 年記憶體與儲存供需將比 2026 年更緊，部分長約將進一步延伸到 2031 年。

記憶體產業進入超級景氣循環，這已是市場公認的事實。至於好景氣會好到何時，有人提出至少到 2028 年，有的甚至說 2030 年前都會持續缺貨。

擴廠跟不上需求記憶體缺貨到 2030 年後

記憶體缺貨到底會持續到何時？造成大缺貨的理由又是什麼？最近我做了一些整理，有一些新的想法，可以與大家分享。

此外，AI 引爆 HBM 記憶體需求大爆發，如今更已外溢到台積電，關鍵在於台積電掌握了將邏輯晶片與 HBM 包在一起的 CoWoS 先進封裝技術與產能，這件事與台灣產業界密切相關，也值得在此分享。

HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）是把多層 DRAM 晶片垂直堆疊起來的記憶體，和 GPU 等 AI 晶片封裝在一起，負責以極高的速度把資料送進運算核心。

首先，最近我聽前明星基金經理人、鈞弘資本董事長沈萬鈞的演講，他提到記憶體缺貨會持續很多年，而且可能到 2030 年後，缺貨都無法解決，他的理由是，只要看 GPU、CPU 等晶片的發展，四年後功能會提升四倍，只要 GPU 及 CPU 功能提升四倍，配合的記憶體（DRAM，FLASH）需求也會增四倍，但目前記憶體廠商的擴廠，未來四年並沒有增加四倍，因此供不應求的情況仍會持續。

他說，在產能增加的部分，只看一下各家公司新建產能擴建速度就能發現，三星、SK 海力士或美光，未來四年頂多增加兩倍產能，至於中國大陸（長鑫、長江）供應量可能多一點，但就算增加三倍，仍然是嚴重不足，供需失衡情況將會持續。