施振榮站台領投：一個無電容 DRAM 新創，挑戰三巨頭三十年的格局

2012 年，矽谷。許富菖待了十七年的記憶體設計公司解散。他沒有去找下一份工作，而是開了自己的公司 NEO Semiconductor。

NEO 試圖解決一個業界當時已經放棄的題目：讓 DRAM（動態隨機存取記憶體）的結構，改用 NAND（快閃記憶體）往上疊的做法。那一年，3D NAND 才剛起步。而這個一直不被看好的方向，他一做就是十四年。

DRAM 是資本門檻極高、又隨景氣大起大落的產業。幾十年的循環淘汰下來，撐到最後的只剩三家：三星、SK 海力士、美光，三巨頭合計掌握全球約九成的 DRAM 產能。排名第四的是中國的長鑫存儲（CXMT），2026 年第一季市占約 7.6%，但它受美國出口管制，也還沒跨進高階 HBM。

NEO 只有個位數員工，野心卻是讓記憶體大廠改用一種被同業判定「做不出來」的方法，把 DRAM 容量一次拉開八倍，而且不蓋新廠。

DRAM 卡住十二年的容量問題

電腦裡的記憶體分兩種：DRAM 和 NAND，功能和特性不同。

DRAM 負責存「正在運算的資料」，速度快、可以隨時改寫，但一斷電就清空。NAND（SSD、隨身碟用的快閃記憶體）則負責長期儲存，容量大、斷電也留得住。AI 運算當下反覆讀寫的，大多是 DRAM。

隨著 AI 興起，資料中心和 AI 晶片對記憶體的胃口暴增，市場對容量的需求愈來愈大。

這兩種記憶體要做大容量，過去都靠同一招：把線路畫得更細，在同一片晶片上塞進更多儲存格，這叫「製程微縮」。但平面容積有限，畫到一個程度就細不下去了。DRAM 從 2014 年的 20 奈米起，微縮就大幅放緩、再難爬升，到 2026 年的今天，十二年來始終停在 10 奈米級，沒能推進到 10 奈米以下，單顆容量也只從 8Gb 爬到 32Gb。

NAND 更早撞牆，但它換了全新方法：不在同一層硬擠，改成往上疊，一層一層把儲存格疊上去，這叫 3D 堆疊。NAND 現在量產已經堆超過 300 層，未來兩三年上看 500 層，容量從 128Gb 一路疊到 1Tb。

許富菖想做的，就是把 NAND 往上疊的做法，應用到 DRAM 上。

AI 運算需求超高速成長，記憶體需求也被推到極限。2026 年第一季，DRAM 合約價單季上漲約 90%；估計 AI 資料中心 2026 年，會用掉全球高階 DRAM 近七成。需求一路往上，DRAM 的容量瓶頸，成了整個記憶體產業最急的事；許富菖研發 14 年的解法，可能成為突破瓶頸的解方。

他的解法，是繞過 DRAM 一個最核心、也最礙事的零件：電容。三家大廠這幾年都試過讓 DRAM 往上疊，都卡在電容造成的物理性限制；許富菖反其道而行，他把電容拿掉。