DDR4 가격 폭등, 대만 업체 수익 급증하나? 글로벌 3대 DRAM 업체 SK하이닉스·삼성·마이크론의 최신 투자 동향이 새로운 도태 경쟁을 좌우
최근 DRAM 업계에는 몇 가지 중요한 움직임이 나타나고 있다. DDR4는 공급 부족으로 가격이 급등해 남아과학(대만 주식 코드: 2408) 등 기업들이 하반기 수익 확대를 기대할 수 있게 되었다. 그러나 이러한 가격 변동은 대만 기업에 유리하게 작용하는 동시에, 글로벌 3대 DRAM 업체인 SK하이닉스·삼성·마이크론의 투자 전략과 밀접하게 연관되어 있으며, 또한 중국의 창신저장(CXMT)의 최신 동향과도 관련이 있다.
우선, “AI가 DRAM 세계 판도를 바꾼다”라는 표현은 최근 수년간 DRAM 산업의 변화를 정확히 보여준다고 할 수 있다.
AI의 부상이 DRAM 시장 점유율을 어떻게 바꿔 놓았는가. 가장 중요한 수치는 AI 서버의 급격한 성장에 있다. 지난 3년간 AI 서버 수요가 빠르게 증가하면서, 대량이자 고단가의 HBM이 사용되었기 때문이다. 트렌드포스(TrendForce)의 통계에 따르면, 올해 HBM 매출은 DRAM 전체 시장의 26.2%에 달할 전망이며, 지난해의 14.6%, 그 전년의 3.9%에서 크게 성장했다(그림 1, 통일투자자문 제공).
HBM(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory)은 AI, 그래픽 처리, 고성능 연산을 위해 설계된 첨단 메모리 기술이다. 칩을 수직 적층하고 TSV(실리콘 관통 전극) 패키징을 적용해 전송 속도와 용량을 크게 높이는 동시에 전력 소모를 줄일 수 있어, AI 서버와 GPU 연산의 핵심 부품으로 자리 잡았다.
HBM의 빠른 성장은 이제 3대 DRAM 업체들의 점유율을 좌우하는 핵심 요소가 되었다. 또한 각 사의 투자 전략 차이로 인해 SK하이닉스가 삼성을 추월하는, 업계에서 보기 드문 현상이 나타났다.
통계에 따르면, HBM3E（3세대 HBM 의 강화형 고대역폭 메모리） 점유율에서 우위를 점한 SK하이닉스는 올해 1분기 시장 점유율이 36%에 달하며 DRAM 업계의 선두에 올랐다. 반면 삼성은 39.3%에서 33.7%로 하락해 1위 자리를 내줬다. 3위인 마이크론은 엔비디아(NVIDIA)의 HBM 제2 공급업체가 되면서 점유율을 22.4%에서 24.3%로 끌어올렸다(그림 2, 통일투자자문 제공).
DDR4 가격 급등 역시 3대 업체들의 HBM 및 기존 DRAM 투자 배분과 밀접하게 관련이 있다. 따라서 DDR4 가격 상승의 배경을 이해하기 위해서는 최근 몇 년간 DRAM 업계의 투자 규모를 살펴볼 필요가 있다.
최근 3년간 데이터를 보면, 2025년 DRAM 설비투자는 전년 대비 54% 급증하여 2년 연속 큰 폭의 증가세를 기록했다. 2024년은 전년 대비 48.8% 증가한 반면, 2023년은 전년 대비 33.5% 감소했었다.
그러나 설비투자 증가가 반드시 생산능력 대폭 확대를 의미하는 것은 아니다. HBM은 제조 난도가 높고 칩 크기가 크며 후공정 패키징이 복잡해 생산능력 측면에서 DRAM 전체 월간 생산능력 증가폭은 크지 않았다. 2025년 설비투자가 54% 늘었음에도 불구하고, 월 생산능력은 2024년 대비 9% 증가에 그쳤다(그림 3, 통일투자자문 제공).
또한 3대 DRAM 업체들의 설비투자는 대부분 HBM에 집중되었으며, 공정을 1β(약 12나노미터)와 1Y(약 10~11나노미터)로 업그레이드하고, HBM 후공정 TSV(실리콘 관통 전극) 패키징 능력 확대에 투입되고 있다. 이는 AI의 막대한 수요에 대응하기 위한 것이다.
공정 기술 측면에서 보면, 1β 생산능력은 급속히 확대되고 있으며 올해 수요가 급증한 HBM3E에 주로 사용되고 있다. 한편 1Y도 적극적으로 확대되어 내년 수요가 크게 증가할 HBM4에 투입될 예정이다.
반면 1α(1314나노미터)는 주로 DDR5 생산에 사용된다. 그러나 3대 업체가 HBM에 투자를 집중하면서 다른 제품의 생산능력이 압박받았고, 이 가운데 DDR4에 주로 쓰이는 1z(1416나노미터)의 비중은 빠르게 줄어들고 있다(그림 4, 통일투자자문 제공).
DDR5는 현재 주로 일반 서버, PC, 노트북에 사용된다. DDR4는 더 저가 소비자 제품에 사용되는데, 현재 AI 서버 수요는 강하지만 일반 서버, PC, 노트북, 소비자 제품 수요는 모두 약세를 보이고 있다. 따라서 3대 업체는 관련 생산능력을 늘리지 않았다.
DDR4와 DDR5 가격 역전 현상 부상
또한 3대 업체가 DDR4 생산 투자를 크게 줄이면서 공급 부족이 발생했다. 반면 DDR5 생산능력은 크게 줄지 않아 두 제품 간 가격이 역전되는 특이한 현상이 나타났다.
소위 가격 역전 현상은 기술과 규격 면에서 DDR5가 DDR4보다 우수해 당연히 가격도 더 높아야 하지만, 3대 업체가 우선적으로 DDR4 생산능력을 축소하면서 단기간에 DDR4 가격이 급등한 것을 의미한다.
가격 흐름을 보면, DDR4 현물가는 연초 이후 1~3배 상승했다. 그중에서도 16Gb 1G×16 제품은 가장 품귀 현상을 보이며 가격이 15달러 이상으로 급등했다. 반면 DDR5 가격은 약 5달러 수준에 머물러 두 제품 간 가격 차이가 크게 벌어졌다(그림 5, 통일투자자문 제공).
이러한 가격 역전 현상은 2021년에서 2022년 사이에도 발생했다. 당시 DDR3와 DDR4 사이에서도 비슷한 일이 있었는데, 대형 업체가 DDR3 생산능력을 줄여 제품 수명주기(EOL)를 종료하려 했을 때 공급이 급격히 줄며 단기간에 가격이 크게 상승했다.
다만 DDR3와 DDR4 전환기는 약 7년이었고, 그중 2년 동안 가격 역전이 발생했으며 최대 격차는 30%였다. 그러나 이번 DDR4와 DDR5 가격 역전은 3배에 달한다. 그 주된 이유는 AI 수요가 급격하게 몰리면서 SK하이닉스, 삼성, 마이크론 등 3대 업체가 생산능력을 신속히 HBM에 전환했기 때문에 DDR4 생산능력이 급감해 가격이 크게 치솟은 것이다.
대형 업체 입장에서는 저위 기술을 퇴출시키고 고위 공정으로 전환하는 것은 산업 발전 과정에서 불가피하다. 그러나 이런 전환기에서 공정 기술력이 부족한 대만 업체들에게는 DDR4 가격이 DDR5를 웃도는 국면이 기회가 된다. 남아과학(대만 주식 코드: 2408), 화방전자(대만 주식 코드: 2344) 등은 DDR4를 최대한 생산해 여전히 뚜렷한 이익을 확보하고 있다.
트렌드포스(TrendForce) 통계에 따르면, 올해 6월 DDR4 현물가는 계약가보다 약 95% 높았다. 이에 따라 트렌드포스는 3분기 소비자용 DDR 계약가 상승률 전망치를 기존 4045%에서 8590%로 상향 조정해 현물가에 근접시켰다.
그러나 트렌드포스는 이러한 생산능력 조정의 과도기 동안 DDR4 가격이 DDR5를 웃도는 상황은 올해 하반기까지 이어질 수 있지만, 내년 2분기부터는 크게 하락할 것으로 예상했다.
또한 2026년 상반기에는 DDR5 현물가가 하락할 위험도 있다. DDR5는 주로 일반 서버, PC, 노트북에 사용되지만 수요 동력이 약하고, 지금까지 20% 오른 상태라 수요를 더욱 억누를 가능성이 있다(그림 6, 그림 7, 통일투자자문 제공).
향후 가장 중요한 관찰 포인트는 삼성의 HBM3E 검증 진행 상황이다. 만약 여전히 순조롭지 않다면 삼성은 생산능력을 DDR5로 전환할 가능성이 있으며, 이 경우 DDR5 현물 가격은 뚜렷한 하락 위험에 직면하게 된다.
따라서 대만 DRAM 산업은 국제 3대 업체와의 격차, 특히 공정 기술 측면에서 뚜렷하게 뒤처져 있다. 대만이 파운드리 분야에서는 세계를 크게 앞서 있지만 메모리 분야에서는 선진 대형 업체들에 비해 뒤떨어져 있다. 이로 인해 대만 DRAM 업체들은 DDR5와 DDR4 공정 전환기 동안 글로벌 대형사가 이미 포기했으며 단기간만 존재하는 초과 이익을 얻는 데 그치고 있다.
대만 업체, 단기 수혜 있으나 장기 경쟁력은 불안
현재 글로벌 3대 DRAM 업체는 고부가가치 HBM 시장에 집중하고 있다. AI 서버에서는 GPU 연산 능력, CoWoS 패키징(TSMC 주도, HBM과 고성능 연산을 지원하는 첨단 반도체 패키징 기술), 그리고 HBM 용량에 대한 요구가 계속 확대되고 있어 각 사는 경영의 초점을 HBM 확장에 두고 있다.
HBM3E와 차세대 HBM4 경쟁에서는 현재 SK하이닉스가 마이크론보다 앞서 있으며, 마이크론은 삼성보다 우위에 있다. 삼성은 이미 후발 주자로 밀려났다.
SK하이닉스는 HBM3E를 가장 먼저 양산해 엔비디아(NVIDIA)에 공급하고 있다. HBM4는 올해 3월 샘플을 출하했으며 2025년에 양산 준비를 완료할 예정이다. 하이닉스는 MR-MUF 기술(HBM 패키징 언더필 공정)을 적용해 동종 업계보다 높은 수율을 확보하고 있다.
또한 마이크론의 HBM3E는 이미 양산돼 엔비디아에 공급되고 있으며, 올해 하반기에는 출하량이 더 늘어날 것으로 예상된다. HBM4는 2025년 2분기에 샘플을 출하했으며 2026년에 양산할 예정이다.
가장 뒤처진 삼성은 HBM3E를 양산했지만 아직 엔비디아의 인증을 통과하지 못했다. 삼성은 TC-NCF 기술(HBM 패키징에 사용되는 비전도성 필름 열압착 공정)을 적용하고 있으나 현재까지 수율 문제를 극복하지 못하고 있다.
삼성이 HBM3E 개발에 난항을 겪으면서 잠재적 위험은 향후 1β 생산 능력이 대거 DDR5로 전환돼 DDR5 공급에 영향을 줄 수 있다는 점이다. 이는 지속적으로 주목해야 할 부분이다.
또한 중국발 경쟁 변수도 존재한다. 창신저장(CXMT)은 국산화 임무를 맡아 고급 시장으로 나아가고 있으며 DDR4에 머물지 않는다. 현재 공정은 16나노미터까지 진전됐고 DDR5 개발로 전환했으며 동시에 HBM 연구개발에도 투자하고 있다.
대만 DRAM 업체들의 최고 공정은 현재 17.5나노미터 수준에 머물러 HBM을 개발할 만한 우위가 없다. 3대 업체와 창신저장까지 모두 DDR4 생산을 중단했으며, 이러한 단기적 시장 분리 전략은 대만 업체들에게 잠시 숨 쉴 틈을 줄 수 있다. 그러나 장기적으로는 경쟁력이 부족해 저가 시장에서만 생존할 수밖에 없어 매우 아쉽다.
종합하면 DDR5 보급률이 높아짐에 따라 DDR4의 공급과 매출도 함께 줄어들며, 2026년에는 안정적인 틈새 시장으로 자리 잡고 가격도 안정될 전망이다.
남아과학(대만 주식 코드: 2408)은 현재 전체 생산 능력의 절반을 DDR4에 투입하고 있으며, 이 가운데 소비자용 비중이 65%를 차지한다. 이에 따라 현재 가격이 높은 DDR4의 수혜를 볼 것으로 예상된다. 올해 3분기에는 적자에서 흑자로 전환할 가능성이 있으며, 하반기에는 이익이 안정될 전망이다.
화방전자(대만 주식 코드: 2344)의 제품 구성은 DDR3가 50%, DDR2가 20%, DDR4는 10~20%에 불과해 비중이 높지 않다. 한편 리셩(대만 주식 코드: 6239)의 첨단 패키징 사업은 성장 가능성이 있지만 가시적인 기여는 2027년 이후에나 나타날 것으로 보인다.
그러나 장기적으로 볼 때 대만 DRAM 산업은 HBM으로의 발전 역량이 부족해 성장 동력 면에서 3대 업체를 따라가기 어렵다. 따라서 투자자들은 종목 선택에서 더욱 신중해야 한다.
